EFFET DE LENERGIE DIRRADIATION SUR LA RESISTANCE SERIE DANS UNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES SERIES

Les parametres phenomelogiques dans la photopile (n+/p/p+) au silicium a jonctions verticales series, sous eclairement, sont utilises pour extraire la resistance serie, pour chaque dose dirradiation appliquee. Lequation de diffusion des porteurs minoritaires de charge electriques dans la base (p) est influencee par le flux et lintensite de lirradiation par des particules chargees. Sa resolution conduit a la densite de courant de charges electriques et la phototension, qui permettent detablir la caracteristique Jph-Vph, pour chaque dose dirradiation. Le modele electrique equivalent a la photopile, en fonctionnement de circuit ouvert, permet de deduire la resistance serie pour chaque epaisseur de base(p) optimisee et chaque dose dirradiation.