Open AccessEFFET DE LENERGIE DIRRADIATION SUR LA RESISTANCE SERIE DANS UNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES SERIES
Author(s) -
Oumar Ben Khatab Dia,
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Mamadou Lamine Ba,
Gora DIOP,
Ibrahima Diatta,
Mor SARR,
M Wade,
G. Sissoko,
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Publication year - 2021
Publication title -
international journal of advanced research
Language(s) - French
Resource type - Journals
ISSN - 2320-5407
DOI - 10.21474/ijar01/13832
Subject(s) - physics , humanities , art
Les parametres phenomelogiques dans la photopile (n+/p/p+) au silicium a jonctions verticales series, sous eclairement, sont utilises pour extraire la resistance serie, pour chaque dose dirradiation appliquee. Lequation de diffusion des porteurs minoritaires de charge electriques dans la base (p) est influencee par le flux et lintensite de lirradiation par des particules chargees. Sa resolution conduit a la densite de courant de charges electriques et la phototension, qui permettent detablir la caracteristique Jph-Vph, pour chaque dose dirradiation. Le modele electrique equivalent a la photopile, en fonctionnement de circuit ouvert, permet de deduire la resistance serie pour chaque epaisseur de base(p) optimisee et chaque dose dirradiation.