DETERMINATION DE LA RESISTANCE SERIE DE LA PHOTOPILE AU SILICIUM (N+/P/P+) A JONCTIONS VERTICALES SERIES SOUS CHAMP MAGNETIQUE

Lequation de magneto transport relative aux porteurs minoritaires de charge dans la base de la photopile au silicium a jonctions verticales series, est resolue, munie des conditions aux limites, definies par les vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere. Le photocourant et la phototension sont determines, et representes par la caracteristique courant-tension (Iph(Sf)-Vph(Sf)) de la photopile sous eclairement monochromatique. Le modele electrique equivalent de la photopile en situation de circuit ouvert, conduit a la determination de la resistance serie, pour differentes epaisseurs optimum de la base, imposees par le champ magnetique applique.