Open AccessВивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP
Author(s) -
Лінда Буджеміла,
V. Yu. Rud,
Доулбай Мелебаев,
Вадим Давидов,
Мурал Шамухаммедова
Publication year - 2021
Publication title -
ekologìâ, lûdina, suspìlʹstvo
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
ISSN - 2710-3315
DOI - 10.20535/ehs.2021.233517
Subject(s) - band gap , gender gap , narrow gap , materials science , physics , optoelectronics , demographic economics , economics , mechanics
Бар'єри Шоткі (БШ) на основі фосфіду галію (GaP) привертають увагу дослідників як перспективні структури для розробки різного роду радіаційно стійких електронних і електричних приладів, в тому числі високотемпературних приладів, приладів високочастотної силової електроніки, ультрафіолетової (УФ) фотоелектроніки і сонячної енергетики.Робота присвячена дослідженню фотоелектричних властивостей поверхнево бар'єрних (ПБ) структур Au-паладій-n-GaP у видимій області спектра під дією як природного, так і поляризованого випромінювання, з метою отримання нових даних про висоту бар'єру, зонної структурі GaP і міжфазної межі розділу метал-напівпровідник.Об'єктом дослідження є наноструктуровані структури Au-паладій-n-GaP. Вихідний матеріал для виготовлення структур – орієнтовані в кристалографічних площинах (100) пластинки n-GaP [n = (0.1-5) · 1017 см-3, 300 К] товщиною 350-400 мкм, вирощені методом Чохральського.Досліджуючи фоточутливість наноструктурованих структур типу Au-Pd-n-GaP в видимій області спектра можна отримати важливу інформацію про параметри потенційного бар'єру, зонної структури напівпровідника. Таким чином, проміжний нанослой Pd (Паладій) між GaP і Au товщиною 20-30 Å, створює в наноструктурі Au-Pd-n-GaP специфічні властивості, що мають важливе науково-практичне значення.