Open AccessPropiedades electrónicas y estructurales del Ga1-xCrxAs
Author(s) -
Nasly Yanira Martínez Velásquez,
Jairo Arbey Rodríguez Mártinez
Publication year - 2018
Publication title -
revista de la academia colombiana de ciencias exactas, físicas y naturales/revista de la academia colombiana de ciencias exactas, físicas y naturales
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.124
H-Index - 2
eISSN - 2382-4980
pISSN - 0370-3908
DOI - 10.18257/raccefyn.516
Subject(s) - physics , humanities , philosophy
Mediante el uso de principios basados en la teoría del funcional de la densidad - DFT (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del compuesto Ga1-xCrxAs. Empleando el método de ondas planas y la aproximación de pseudopotenciales atómicos ultra suaves se resolvieron las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación se empleó la aproximación de gradiente generalizado, dentro de la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) tal como está implementada en el código computacional Quantum-Espresso. Al dopar GaAs con impurezas de Cr, el sistema exhibe un comportamiento tipo half-metallic. Dicho material puede ser usado en espintrónica. © 2018. Acad. Colomb. Cienc. Ex. Fis. Nat.