Estudo do Transporte Eletrônico no Semicondutor Arseneto de Gálio Usando a Equação de Newton-Langevin

Os semicondutores permitem o desenvolvimento de inúmeros dispositivos eletrônicos sendo então o seu estudo de grande relevância científica e tecnológica. Um dos focos de pesquisa e estudos em materiais semicondutores, e que será também realizado nesta pesquisa, é o transporte de carga (corrente elétrica) em materiais semicondutores. Neste artigo analisamos o transporte eletrônico no semicondutor Arseneto de Gálio (GaAs) a partir de uma equação diferencial do tipo Newton-Langevin. Obtivemos duas importantes equações: uma que descreve a velocidade de deriva e uma que descreve o deslocamento do elétron no semicondutor submetido a um campo elétrico constante, sendo os resultados analisados graficamente.