TRANSPORTE DE CARGA ELÉTRICA NO SEMICONDUTOR 4H-SiC DOPADO TIPO p

Neste trabalho foi realizado um estudo teórico sobre o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A pesquisa foi realizado utilizando-se uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado e da temperatura foi analisada. Foi obtido que a maior mobilidade ocorre quando a direção do campo elétrico aplicado é perpendicular ao eixo cristalográfico c do cristal semicondutor 4H-SiC, e esta sofre uma redução de aproximadamente 67% com o aumento da temperatura de 0 até 100ºC.