СПОНТАННАЯ КИНЕТИКА ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА ВБЛИЗИ ТОЧКИ КЮРИ

Методом атомной силовой микроскопии в контактном режиме пьезоэлектрического отклика исследована кинетика неравновесной полосчатой доменной структуры сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфат вблизи его точки Кюри (0.1 K ≤ ΔTC ≤ 1.0 K). Показано, что в условиях эксперимента: i) средние скорости развития доменов вдоль кристаллографического направления [100] выше, чем вдоль [001], что связано с большей величиной электрического поля, действующего на участки доменных границ с меньшим радиусом кривизны; ii) отношение суммарного периметра доменных границ к числу доменов, являющееся значением среднего периметра домена, со временем практически не изменяется и увеличивается при удалении от точки Кюри; iii) заметное изменение величины суммарного заряда на поверхности кристалла наблюдается только вблизи TC и примерно в первые 30 минут после прохождения фазового перехода, поскольку, вероятно, в этих условиях кристалл является открытой системой, чувствительной к внешним воздействиям, и характеризуется неконсервативным параметром порядка; iiii) полный периметрL доменных стенок растет при приближении к ТС, а его температурное поведение не подчиняется степенной зависимости L ~ {(ТС- Т) / ТС} −η с показателем степени η = 0.25, предсказываемой термодинамической теорией сегнетоэлектричества.