z-logo
open-access-imgOpen Access
LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS
Author(s) -
Tjipto Sujitno,
Trimardji Atmono,
Sayono Sayono,
Lely Susita
Publication year - 2006
Publication title -
ganendra
Language(s) - Uncategorized
Resource type - Journals
eISSN - 2503-5029
pISSN - 1410-6957
DOI - 10.17146/gnd.2006.9.2.172
Subject(s) - physics , electrical engineering , analytical chemistry (journal) , engineering , chemistry , chromatography
LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS. Telah dibuat sensor gas dari bahan lapisan tipisZnO dengan sistem larik menggunakan teknik D-C sputtering. Tujuan dari pembuatan sistem larik ini adalah untukmenyederhanakan sistem, memperkecil konsumsi daya dan untuk memperkecil tahanan lapisan tipis yang terbentuk.Untuk maksud tersebut sistem pemanas dibuat dari lapisan tipis emas dengan sistem larik dan ditumbuhkan padasalah satu sisi substrat alumina (Al2O3), sedangkan sistem elektroda dari lapisan tipis emas juga dalam bentuk sistemlarik ditumbuhkan pada sisi yang lainnya. Selanjutnya lapisan tipis ZnO ditumbuhkan di atas elektroda menggunakanteknik sputtering. Dari hasil pengujian sistem pemanas dari tegangan baterai 1,5 volt hingga 9 volt diperoleh hasiltemperatur sebesar 295 0C yang merupakan temperatur operasi sensor dicapai pada tegangan 4,5 volt, sedangkanuntuk tegangan pemanas 9 volt, lapisan tipis pemanas mengelupas (rusak). Dari pengujian respon sensor untukberbagai gas uji juga diperoleh hasil bahwa dengan sistem larik ternyata resistansinya juga semakin kecil, sebagaicontoh resistansi untuk sistem satu larik sebesar 150 MΩ sedangkan resistansi untuk sistem 3 larik sebesar 39 MΩ.Berdasar uji sensitivitas sensor juga diperoleh hasil bahwa dengan jumlah larik yang lebih banyak ternyata sensorlebih sensitif. Dari hasil analisis struktur mikro menggunakan SEM teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentukterdistribuasi secara merata pada permukaan substrat sedang ketebalan lapisan tipis dalam order 1,4 μm. Darianalisa unsur menggunakan EDX teramati bahwa lapisan yang terbentuk betul-betul senyawa ZnO dengan komposisiZn = 80, 34 % massa dan O = 19,66 % massa. Dari analisa struktur kristal menggunakan XRD teramati bahwa lapisantipis ZnO yang terbentuk merupakan polikristal dengan bidang-bidang kristal (110), (022), (101), (141), (211), (002)dan (301)

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here