Open AccessDistribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+–Implanted Silicon and the Photoluminescence Model
Author(s) -
С. Н. Нагорных,
В. И. Павленков,
D. I. Tetelbaum,
А. Н. Михайлов,
А. И. Белов,
Д. С. Королев,
А. Н. Шушунов,
А. И. Бобров,
Д. А. Павлов,
Е. И. Шек
Publication year - 2014
Publication title -
izvestiâ vysših učebnyh zavedenij. materialy èlektronnoj tehniki
Language(s) - English
Resource type - Journals
eISSN - 2413-6387
pISSN - 1609-3577
DOI - 10.17073/1609-3577-2014-4-252-256
Subject(s) - photoluminescence , luminescence , dislocation , annealing (glass) , materials science , silicon , ion implantation , ion , molecular physics , atomic physics , optoelectronics , chemistry , composite material , physics , organic chemistry