Open AccessABOUT THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE OF SILICON QUANTUM DOTS
Author(s) -
Н. Нагорных,
И. Павленков,
Н. Н. Михайлов,
И. Белов,
А. Бурдов,
В. Красильникова,
И. Крыжков,
И. Тетельбаум
Publication year - 2015
Publication title -
izvestiâ vysših učebnyh zavedenij. materialy èlektronnoj tehniki
Language(s) - English
Resource type - Journals
eISSN - 2413-6387
pISSN - 1609-3577
DOI - 10.17073/1609-3577-2013-2-68-73
Subject(s) - photoluminescence , excited state , quantum dot , exciton , luminescence , radiative transfer , singlet state , ground state , nanocrystal , silicon , photon , materials science , monochromatic color , atomic physics , condensed matter physics , molecular physics , chemistry , physics , optoelectronics , nanotechnology , quantum mechanics , optics