CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO

Este trabajo describe un procedimiento para crecer in situ películas delgadas de n+-ZnO e i-ZnO altamente transparentes, depositadas secuencialmente por evaporación reactiva asistido por plasma sin usar dopaje extrínseco. Se logró una buena reproducibilidad del espesor y de las propiedades opto-eléctricas de las películas a través de un control electrónico novedoso desarrollado usando el concepto de instrumentación virtual. Para lo cual se implementó un instrumento virtual (VI) que controlaba el proceso usando PID (proportional integral differential) y PWM (pulse width modulation) como algoritmos de control. Optimizando el diseño del reactor y los parámetros de deposición se obtuvieron con este método películas n+-ZnO e i-ZnO con resistividades alrededor de 6 x 10-4 cm y 104 cm respectivamente y transmitancias mayores al 85% (en la región visible). A partir de medidas de energía Urbach encontramos que las películas n+-ZnO depositadas controlando apropiadamente la cantidad de zinc que llega al reactor tienen una cantidad baja de defectos estructurales. También se reportan resultados relacionados con propiedades de transporte eléctrico de las películas de ZnO, obtenidas de medidas de conductividad y movilidad dependientes de la temperatura.