Open AccessЕлектричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe
Author(s) -
Ivan G. Оrletskyi,
М. И. Илащук,
Э. В. Майструк,
Hryhorii P. Parkhomenko,
P. D. Maryanchuk
Publication year - 2021
Publication title -
ukrainian journal of physics
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 17
eISSN - 2071-0194
pISSN - 2071-0186
DOI - 10.15407/ujpe66.9.792
Subject(s) - physics , crystallography , chemistry
Дослiджено умови виготовлення фотодiодних iзотипних гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок бiксбiту a-Mn2O3 на кристалiчнi пiд-кладинки n-CdZnTe. За температурними залежностями I-V -характеристик проаналiзовано механiзми тунелювання електронiв крiзь енергетичний бар’єр гетеропереходу при прямому та зворотному струмах. З’ясована роль енергетичних станiв на межi n-Mn2O3/n-CdZnTe у формуваннi параметрiв бар’єра. На основi C-V –характеристик встановлено динамiку змiни i взаємозв’язок ємнiсних параметрiв тонкої плiвки n-Mn2O3 та iнверсiйного шару n-CdZnTe. Представлено модель енергетичної дiаграми гетеропереходу n-Mn2O3/n-CdZnTe. Проаналiзовано фотоелектричнi властивостi гетероструктури.