Open AccessФундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу
Author(s) -
М. В. Стріха,
Anatolii I. Kurchak
Publication year - 2021
Publication title -
ukrainian journal of physics
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 17
eISSN - 2071-0194
pISSN - 2071-0186
DOI - 10.15407/ujpe66.7.625
Subject(s) - mosfet , physics , voltage , transistor , quantum mechanics
В статтi оцiнено мiнiмальну довжину каналу транзистора MOSFET, який є основним пристроєм сучасної електронiки. Врахування реального вигляду потенцiалу в каналi показує, що за наявностi напруги на стоку електрон тунелює крiзь область, суттєво коротшу вiд фiзичної довжини каналу L, i тому наявна в лiтературi оцiнка мiнiмальної зумовленої квантовими обмеженнями довжини каналу в кремнiєвому MOSFET Lmin ≈ 1,2 нм є суттєво заниженою. Звiдси зрозумiло, чому пiсля досягнення робочих довжин каналу в 5 нм так i не вдалося вийти на вже давно декларованi значення в 3 нм при збереженнi належного рiвня функцiональностi роботи транзистора. Зробленi в нашiй роботi оцiнки пiдтверджують: фундаментальних меж масштабування кремнiєвих MOSFET вже майже досягнуто.