Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні

Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що із збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя(kτ) зменшується у низькоомному і збільшується у високоомному n-Sі. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VО і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VО, а також поперечні перерізи захоплення дірок одно- і двозарядними акцепторними станами SnV.