Open AccessМорфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
Author(s) -
В.С. Лисенко,
С. В. Кондратенко,
Ю.М. Козирев,
М.Ю. Рубежанська,
V. P. Kladko,
Ю.В. Гоменюк,
О.Й. Гудименко,
Є.Є. Мельничук,
Ж. Грене,
Н.Б. Бланшар
Publication year - 2021
Publication title -
ukrainian journal of physics
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 17
eISSN - 2071-0194
pISSN - 2071-0186
DOI - 10.15407/ujpe57.11.1132
Subject(s) - materials science , germanium , engineering physics , optoelectronics , silicon , physics
Розглянуто нанокластери Ge, вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисленій поверхні Si(001) при температурі 700 ºC. По дифракції рентгенівських променів та спектроскопії фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру із об'ємоцентрованою тетрагональною ґраткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ при 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge приводить до реконструкції поверхні та формуванню полікристалічного покриття із кубічною ґраткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною ґраткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si–Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обґрунтовано можливий механізм росту нанокластерів.