Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN

Для циліндричних квантових дротів (КД) кристалів гексагональної симетрії ZnO та GaN визначено залежності енергії поляризаційних фононів від хвильового вектора, а також енергії та ефективну масу полярона від радіуса КД (R). Показано, що основний внесок у основні параметри полярона (енергію та ефективну масу) задають квазіпоздовжні та інтерфейсні фононні моди. Встановлено, що в області R > 15 нм внесок квазіпоздовжніх фононів є основним. Проведено порівняння енергії полярона КД для кристалів кубічної та гексагональної симетрії.