Open AccessФононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
Author(s) -
В. І. Бойчук,
Л.Я. Вороняк,
Я.М. Вороняк
Publication year - 2022
Publication title -
ukrainian journal of physics
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 17
eISSN - 2071-0194
pISSN - 2071-0186
DOI - 10.15407/ujpe56.5.466
Subject(s) - materials science , optoelectronics , gallium nitride , nanotechnology , layer (electronics)
Для циліндричних квантових дротів (КД) кристалів гексагональної симетрії ZnO та GaN визначено залежності енергії поляризаційних фононів від хвильового вектора, а також енергії та ефективну масу полярона від радіуса КД (R). Показано, що основний внесок у основні параметри полярона (енергію та ефективну масу) задають квазіпоздовжні та інтерфейсні фононні моди. Встановлено, що в області R > 15 нм внесок квазіпоздовжніх фононів є основним. Проведено порівняння енергії полярона КД для кристалів кубічної та гексагональної симетрії.