Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини

Експериментально та теоретично досліджено товщинні залежності квантового виходу фотоструму та фотоенергетичних параметрів кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією (СЕТМ). Мінімізацію швидкості поверхневої рекомбінації (ШПР) на освітленій поверхні в них досягнуто за рахунок створення шарів мікропористого кремнію. Запропоновано метод знаходження ШПР та довжини дифузії неосновних носіїв заряду з товщинних залежностей квантового виходу фотоструму в умовах сильного поглинання світла. Виконані дослідження дозволили встановити, що потоншення зразків СЕТМ за умовимінімізації ШПР дозволяє реалізувати достатньо великі значення ефективності фотоперетворення. Показано також, що узгодження експериментальних спектральних залежностей квантового виходу фотоструму в досліджених СЕТМ з теоретичними може бути досягнуте лише за умови врахування коефіцієнта відбиття світла від тилової поверхні.