Open AccessЕлектронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах
Author(s) -
Т.В. Горкавенко,
S. M. Zubkova,
В.А. Макара,
Л.М. Русіна,
О.В. Смелянський
Publication year - 2022
Publication title -
ukrainian journal of physics
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 17
eISSN - 2071-0194
pISSN - 2071-0186
DOI - 10.15407/ujpe56.2.147
Subject(s) - materials science , computer science
Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A3B5 і A2B6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивостіповерхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахунок проведено самоузгодженим "тривимірним" методом псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надґратки. В процесі самоузгодження використано оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, зумовлені наявністю, у випадку поверхні, векторів оберненої ґратки, менших 1 ат. од.