Open AccessЛюмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток
Author(s) -
В.Г. Литовченко,
Д.В. Корбутяк
Publication year - 2022
Publication title -
ukrainian journal of physics
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 17
eISSN - 2071-0194
pISSN - 2071-0186
DOI - 10.15407/ujpe56.10.1072
Subject(s) - materials science , gallium arsenide , optoelectronics
Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів.