Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток | Zendy

В.Г. Литовченко | Zendy; Д.В. Корбутяк | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток

Author(s) -

В.Г. Литовченко,

Д.В. Корбутяк

Publication year - 2022

Publication title -

ukrainian journal of physics

Language(s) - Ukrainian

Resource type - Journals

SCImago Journal Rank - 0.213

H-Index - 17

eISSN - 2071-0194

pISSN - 2071-0186

DOI - 10.15407/ujpe56.10.1072

Subject(s) - materials science , gallium arsenide , optoelectronics

Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research