Open AccessНапівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
Author(s) -
Т.В. Коваленко,
А.С. Ніколенко,
С.О. Івахненко,
В.В. Стрельчук,
П.М. Литвин,
І.М. Даниленко,
О.О. Заневський
Publication year - 2021
Publication title -
dopovidi nacionalʹnoï akademiï nauk ukraïni/dopovìdì nacìonalʹnoï akademìï nauk ukraïni
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
eISSN - 2518-153X
pISSN - 1025-6415
DOI - 10.15407/dopovidi2021.06.068
Subject(s) - geology , materials science
Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визначених оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі.