COMPARACION DE ESTADOS BONDING Y ANTIBONDING EN Si DIAMANTE Y FCC | Zendy

Luis Flores | Zendy; Hans Nowak | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

COMPARACION DE ESTADOS BONDING Y ANTIBONDING EN Si DIAMANTE Y FCC

Author(s) -

Luis Flores,

Hans Nowak

Publication year - 2006

Publication title -

revista de investigación de física

Language(s) - Spanish

Resource type - Journals

eISSN - 1728-2977

pISSN - 1605-7724

DOI - 10.15381/rif.v9i02.8593

Subject(s) - antibonding molecular orbital , humanities , materials science , physics , crystallography , art , chemistry , atomic orbital , quantum mechanics , electron

Usando la base “Augmented Spherical Waves (ASW)” se calcula y discute las cantidades “Cristal Orbital Overlap Population (COOP)” y “Cristal Orbital Hamiltonian Population (COHP)” del Silicio; que dan información sobre la formación de estados bonding y antibonding, y por consiguiente sobre la estabilidad en el sistema. El cálculo se realiza en Si con celdas diamante y FCC, comparándola luego para su posterior interpretación. El cálculo de estas estructuras nos indica una fuerte inestabilidad del Si FCC, produciendo una fuerte tensión interna. Esta inestabilidad es debido a la gran cantidad de estados antibonding en todo el cristal.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research