Open AccessCOMPARACION DE ESTADOS BONDING Y ANTIBONDING EN Si DIAMANTE Y FCC
Author(s) -
Luis A. Flores,
Hans Nowak
Publication year - 2006
Publication title -
revista de investigación de física/revista de investigación de física
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
eISSN - 1728-2977
pISSN - 1605-7724
DOI - 10.15381/rif.v9i02.8593
Subject(s) - antibonding molecular orbital , humanities , materials science , physics , crystallography , art , chemistry , atomic orbital , quantum mechanics , electron
Usando la base “Augmented Spherical Waves (ASW)” se calcula y discute las cantidades “Cristal Orbital Overlap Population (COOP)” y “Cristal Orbital Hamiltonian Population (COHP)” del Silicio; que dan información sobre la formación de estados bonding y antibonding, y por consiguiente sobre la estabilidad en el sistema. El cálculo se realiza en Si con celdas diamante y FCC, comparándola luego para su posterior interpretación. El cálculo de estas estructuras nos indica una fuerte inestabilidad del Si FCC, produciendo una fuerte tensión interna. Esta inestabilidad es debido a la gran cantidad de estados antibonding en todo el cristal.