Diseño Molecular Asistido por Computadora: Aplicación al Diseño de Cúmulos Mixtos de Silicio-Germanio

En este trabajo se presentan cálculos de estructura electrónica para obtener las estructuras de mínima energía potencial en cúmulos puros y mixtos de Silicio y Germanio, para tamaño de cúmulos entre 2 y 6 átomos. Además de analizar la estructura electrónica, estudiamos una serie de propiedades físicas y químicas de estos sistemas, de interés para su posible aplicación en Electrónica, entre ellas el calor de formación, potencial de ionización, afinidad electrónica, dureza absoluta, electronegatividad, hibridación, frecuencias vibracionales, estabilidad frente a la fragmentación y energía de disociación de enlace. También se presenta una discusión sobre la evolución de las geometrías de los cúmulos mixtos según aumenta la composición de Germanio en cada cúmulo. Se puede predecir cuales de estos cúmulos, que aún no se detectan experimentalmente, serían los más estables, y aparentemente son aquéllos con 4, o 6 átomos y algunos de nuclearidad igual a 5, como son los cúmulos SiGe4, Si2Ge3, and Si3Ge2.