Uma avaliação dos potencias LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJ original, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutor em cálculos dos band gaps dos semicondutores: ZnO, GaN, TiO2 e SnO2 utilizando a teoria funcional da densidade

Este trabalho apresenta uma avaliação dos potenciais LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJ original, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutor em cálculos dos band gaps dos semicondutores ZnO, GaN, TiO2 e SnO2 utilizando o formalismo da Teoria Funcional da Densidade (DFT). O objetivo de utilizar diferentes potenciais é avaliar qual destes descreve em acordo com o experimental tanto os valores quanto a natureza dos band gaps dos semicondutores. Nos cálculos das estruturas eletrônicas (estrutura de bandas), estes potenciais descreveram em pleno acordo com os experimentais a natureza direta →  dos band gaps destes compostos. No entanto, o potencial mBJ P-semicondutor foi o único que descreveu em concordância com o experimental os valores dos gaps. Os valores calculados dos gaps com o potencial mBJ P-semicondutores foram de 3,37 eV (ZnO), 3,48 eV (GaN), 3,06 eV (TiO2) e 3,80 eV (SnO2), os quais concordam com valores experimentais.