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Espalhamento inelástico da luz por portadores no plasma em semicondutores. II Cálculo do Espectro Raman
Author(s) -
A. V. Andrade-Neto
Publication year - 2005
Publication title -
sitientibus série ciências físicas
Language(s) - Portuguese
Resource type - Journals
eISSN - 2675-3286
pISSN - 1984-5812
DOI - 10.13102/sscf.v1i0.5249
Subject(s) - physics , humanities , philosophy
Neste trabalho é discutido o espalhamento inelástico da luz por portadores no plasma simples em semicondutores. Calculamos a seção de choque do espalhamento Raman, a qual está diretamente relacionada, via teorema de flutuação-dissipção, com a função dielétrica do sistema. Nossos cálculossão comparados com resultados experimentais do GaAs nos quais são evidenciados o amortecimento de Landau.

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