Angular Distributions of Sputtered Atoms from Semiconductor Targets at Grazing Ion Beam Incidence Angles | Zendy

M. Sekowski | Zendy; A. Burenkov | Zendy; J.M. Hernández-Mangas | Zendy; Alberto Martinez-Limia | Zendy; H. Ryssel | Zendy; Edmund G. Seebauer | Zendy; Susan B. Felch | Zendy; Amitabh Jain | Zendy; Yevgeniy V. Kondratenko | Zendy

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Angular Distributions of Sputtered Atoms from Semiconductor Targets at Grazing Ion Beam Incidence Angles

Author(s) -

M. Sekowski,

A. Burenkov,

J.M. Hernández-Mangas,

Alberto Martinez-Limia,

H. Ryssel,

Edmund G. Seebauer,

Susan B. Felch,

Amitabh Jain,

Yevgeniy V. Kondratenko

Publication year - 2008

Publication title -

aip conference proceedings

Language(s) - German

Resource type - Conference proceedings

SCImago Journal Rank - 0.177

H-Index - 75

eISSN - 1551-7616

pISSN - 0094-243X

DOI - 10.1063/1.3033602

Subject(s) - semiconductor , materials science , ion , ion beam , atomic physics , sputtering , beam (structure) , incidence (geometry) , optoelectronics , optics , physics , thin film , nanotechnology , quantum mechanics

Der Zerstäubungsprozess von Germanium und Silicium wird experimentell und durch Monte-Carlo Simulationen untersucht. Insbesondere wird der streifende Ioneneinfall untersucht, da hier die Winkelverteilungen zerstäubter Atome asymmetrisch zum Polarwinkel sind. Ein verbessertes analytisches Modell zur Beschreibung von Winkelverteilungen wird vorgestellt, welches zusätzlich vom Ioneneinfallswinkel abhängig ist

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