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Molekulardynamische Simulation ionenstrahlgestützter Verfahren (IBAD) zur Herstellung neuer Schichtmaterialien
Author(s) -
Schweitzer D.
Publication year - 1998
Publication title -
zamm ‐ journal of applied mathematics and mechanics / zeitschrift für angewandte mathematik und mechanik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.449
H-Index - 51
eISSN - 1521-4001
pISSN - 0044-2267
DOI - 10.1002/zamm.199807815103
Subject(s) - ion beam assisted deposition , materials science , physics , chemistry , ion , ion beam , organic chemistry
Gegenwärtig wird weltweit sehr intensiv an der Synthese von phasenreinen, texturierten Nitridschichten (z. B. BN, TiN, AlN, SiN) geforscht, die wegen ihrer besonderen Eigenschaften ein hohes Anwendungspotential für die Elektronik, Optoelektronik und als verschleißfeste Hartstoffschichten erwarten lassen. Dabei haben sich ionenstrahlgestützte Verfahren, sog. IBAD‐ Verfahren (“Ion Beam Assisted Deposition”), als besonders erfolgversprechend erwiesen. Bei der numerischen Integration der Bewegungsgleichungen eines diesen Prozeß modellierenden Vielteilchensystems erfordert das gleichzeitige Auftreten schneller Ionen mit Energien im keV‐Bereich und langsamer Atome mit thermischen Energien eine adaptive Schrittweitensteuerung mit lokal unterschiedlichen Zeitschritten.