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205 Tl‐NMR‐spektroskopische Untersuchungen an Thallium(I)‐und Organothallium(III)‐Verbindungen
Author(s) -
Köppel H.,
Dallorso J.,
Hoffmann G.,
Walther B.
Publication year - 1976
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - English
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.654270105
Subject(s) - chemistry , thallium , chemical shift , crystallography , stereochemistry , inorganic chemistry
Inhaltsübersicht. Mittels 205 Tl‐Breitlinien‐ und hochauflösender 1 H‐NMR wurden Tl(I)‐sowie Organothallium(III)‐Verbindungen untersueht und 205 Tl‐ und 1 H‐chemische Verschiebungen sowie 205 Tl‐ 1 H‐Kopplungskonstanten ermittelt. Die NMR‐Parameter dor Tl(I)‐Verbindungen wurden mit Literaturwerten verglichen. Die paramagnetischen 205 Tl‐Verschiebungen von Verbindungen des Type R 2 TlX (R = Me, Et. n‐Pr, Ph; X = NO 3 , F, Br, J) werden in Bezug auf Substituenten., Losungsmittel‐ und Konzentrationseinflüsse diskutiert. Auf der Basis eines 0.3 molaren wäßrigen TINO 3 ‐Primärstandards werden die 205 Tl‐Verschiebungen in einer einheitlichen Verschiebungsskala geordnet und nach bindungstheoretischen Gesichtspunkten verglichen. 205 Tl‐N.M.R.‐Spectroscopical Studies on Thallium(I) and Organothallium(III) Compounds Abstract. Tl(I) and organothallium(III) compounds are investigated by means of 205 Tl wide line and high resolution 1 H‐n.m.r. and 1 H chemical shifts as well as 205 Tl‐ 2 H coupling constants are estimated. The n.m.r.‐parameters of the Tl(I) compounds are compared with the values of the literature. The paramagnetic 205 Tl shifts of compounds of the type R 2 TlX (R = Me. Et, n‐Pr. Ph; X = NO 3 , F, Br. I) are discussed with reference to the influence of substituents, solvents, and concentrations. The 205 Tl shifts are arranged on the basis of a 0.3 M aqueous TlNO 3 primary standard in a uniform shift scale and compared as to theoretical aspects of chemical bonds. Für die großzügige Unterstützung unserer Arbeit danken wir Herrn Prof. Dr. K.‐D. Schleinitz.