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Neue ternäre Käfigverbindungen aus den Systemen Barium–Indium/Zink/Cadmium–Germanium: Zintl ‐Verbindungen mit Phasenbreite?
Author(s) -
Kuhl Bettina,
Czybulka Axel,
Schuster HansUwe
Publication year - 1995
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.19956210103
Subject(s) - barium , germanium , indium , chemistry , crystallography , cadmium , materials science , inorganic chemistry , silicon , organic chemistry
Systematische Untersuchungen in den Systemen Barium–Indium/Zink/Cadmium–Germanium führten zur Darstellung einer Reihe neuer ternärer, elektrovalent zusammengesetzter Varianten des A 8 X 46 ‐Clathrat‐I‐Typs. Sie kristallisieren kubisch in der Raumgruppe Pm3n. Für Ba 8 In 16 Ge 30 (a = 1 075,8 pm), Ba 8 Zn 8 Ge 38 (a = 1 082,0 pm) und Ba 8 Cd 8 Ge 38 (a = 1 096,0 pm) wurden die Strukturen röntgenographisch aus Einkristalldaten bestimmt. Die Verbindungen lassen sich im Rahmen des Zintl ‐Konzepts beschreiben und sind Halbleiter, wie Messungen der Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit belegen. Die Phasenanalysen zeigten, daß sich ein Teil des 2B‐ bzw. 3B‐Metalls durch Germanium substituieren läßt, wobei die Ladungsbilanz durch „Einbau von Lücken” in die Strukturen ausgeglichen wird. Es entstehen Defektvarianten des A 8 X 46 ‐Typs. Die Grenzzusammensetzungen liegen bei Ba 8 In 4 Ge 9 [] 3 Ge 30 (a = 1 084,9 pm), Ba 8 Zn 4 Ge 10 [] 2 Ge 30 (a = 1 073,6 pm) und Ba 8 Cd 4 Ge 10 [] 2 Ge 30 (a = 1 082,0 pm).