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Darstellung und Kristallstrukturen der Verbindungen CaPtGa, CaPtIn und CaPd 0,4 Ga 1,6
Author(s) -
DascoulidouGritner K.,
Schuster H.U.
Publication year - 1994
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.19946200704
Subject(s) - crystallography , chemistry , crystal structure
Strukturuntersuchungen an den durch Erhitzen von Elementgemengen unter Argon hergestellten intermetallischen Verbindungen CaPtGa und CaPtIn zeigen, daß diese dem TiNiSi‐Typ mit verzerrter Tetraederkoordination um die Pt‐Atome entsprechen. Es liegt Raumgruppe Pnma (Nr. 62) mit den Gitterkonstanten für CaPtGa a = 7,184(1) Å, b = 4,429(1) Å, c = 7,595(1) Å und Z = 4 sowie für CaPtIn mit a = 7,280(1) Å, b = 4,372(1) Å, c = 8,356(1) Å und Z = 4 vor. Die Verbindung CaPd 0,4 Ga 1,6 kristallisiert im CeCu 2 ‐Typ, bei der die Cu‐Punktlagen statistisch von Ga‐ und Pd‐Atomen besetzt sind. Die Strukturrechnung erfolgte in Imma (Nr. 72) mit a = 4,462(1) Å, b = 7,231(1) Å, c = 7,745(1) Å und Z = 4.