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Molekulares SSi(H)CI Matrix‐IR‐Untersuchungen und ab‐ initio SCF‐Rechnungen
Author(s) -
Köppe R.,
Schnöckel H.
Publication year - 1992
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.19926070109
Subject(s) - chemistry , ab initio , matrix isolation , crystallography , computational chemistry , infrared spectroscopy , organic chemistry
Molekulares SSi(H)CI entsteht in einer Photochemischen Reaktion zwischen dem Hochtemperaturteilchen SiS und HCI in festem Argon. Die C s ‐Struktur dieser Spezies mit Silicium als Zentralatom wird durch die Lage der IR‐Absorptionen und ihre H/D‐ bzw. 35 CI/ 37 ‐Isotopenverschiebungen bestätigt. Die Normalkoordinatenanalyse liefert für die SiS‐Bindung eine Kraftkonstante von 4,83 mdyn/Å. Diese experimentellen Ergebnisse werden durch ab‐initio SCF‐Rechnungen des IR‐Spektrums bestätigt.