Quantenchemische Modellrechnungen zur Baugruppenwanderung in Hexafluorosilicaten

Das EHT‐Verfahren wurde genutzt, um am Beispiel von zwei [Sif 6 ] 2− −Baueinheiten den Transport verschiedener SiF‐Spezies zu simulieren und dabei die auftretenden Aktivierungsbarrieren und Ladungsverteilungen zu berechnen. Ausgehend von der Struktur kubischer Alkalihexafluorosilicate wurden Rechnungen zum Transport entlang der Kante und entlang einer (110)‐Fläche der Elementarzelle durchgeführt. Dabei wurden zunächst [SiF 2 ] 2+ − bzw. SiF 4 ‐Gruppen aus dem [Si 2 F 12 ] 4− −Verband zur Schaffung eines freien Oberflächenplatzes entfernt. In einem zweiten Schritt wurden im Modell [SiF 8 ] 4− planare SiF 4 ‐Gruppen zum jeweils benachbarten Gitterplatz transportiert. Der Transport eines [SiF 2 ] 2+ −Moleküls erfordert einen wesentlich höheren Energieaufwand als der Transport von planarem SiF 4 . Eine Diffusion von planarem SiF 4 wird begünstigt, wenn eine möglichst geringe elektrostatische Wechselwirkung zwischen den bewegten und feststehenden Fluoratomen stattfindet.