Bildung von HfSiO 4 ‐Einkristallen durch chemische Transportreaktion

Bei Transportversuchen zur Einkristallzüchtung des Spinells CuCrHfSe 4 mit TeCl 4 als Transportmittel wurde die Bildung von HfSiO 4 ‐Kristallen (Hafnon) beobachtet. Die Charakterisierung der Kristalle erfolgte durch Analyse mit der Elektronenstrahlmikrosonde und mit Röntgenmethoden. Die Kristalle weisen Zirkonstruktur auf; Raumgruppe I4 1 /amd, a = 658,0(2), c = 598,0(6) pm. Aus der Strukturverfeinerung von Einkristall‐Röntgendaten wurden die Ortsparameter und Temperaturfaktoren bestimmt. In nachfolgenden Versuchen gelang es, Hafnonkristalle gezielt durch Chemische Transportreaktion, ausgehend von den Oxiden HfO 2 und SiO 2 , zu züchten.