Über die Bildung von Oxidchloriden des Germaniums bei der GeCl 4 ‐Oxydation in homogener Gasphase

Bei der Gasphasenreaktion im System GeCl 4 /O 2 wurde bei 1223 K und 3,8 · 10 −3 mol · l −1 GeCl 4 neben GeO 2 die Bildung von etwa 1% Ge 2 OCl 6 festgestellt und in dessen Infrarotspektrum eine bisher noch nicht beschriebene Bande des Germaniumoxidchlorids bei 743 cm −1 beobachtet. Durch Molekulargewichtsbestimmung und chemische Transportexperimente im System GeO 2 /GeCl 4 wird die gleichzeitige Bildung von GeOCl 2 ausgeschlossen. Die Bildung von Ge 2 OCl 6 endet bei Temperaturen oberhalb 1273 K, was für die Bildung defektfreier und hochreiner SiO 2 /GeO 2 ‐Gläser durch Oxidation der entsprechenden Halogenide beim sog. MCVD‐Prozeß von Bedeutung ist.