Zur Bildung von Additionsverbindungen zwischen SiCl 4 HP(C 2 H 5 ) 2 und HSiCl 3 HP(C 2 H 5 ) 2

In den Systemen SiCl 4 /HP(C 2 H 5 ) 2 und HSiCl 3 /HP(C 2 H 5 ) 2 ist jeweils nur eine Verbindung nachzuweisen; SiCl 4 · 2 HP(C 2 H 5 ) 2 (I) (Smp. −36°C) und HSiCl 3 · 2 HP(C 2 H 5 ) 2 (II) (Smp. −58°C). I und II sind in der Gasphase vollständig in die Komponenten zerfallen. Es werden die Schmelzdiagramme angegeben.