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Über eine Reihe saurer Verbindungen HX V P 2 O 8 und H 2 X IV P 2 O 8 mit Schichtstruktur, X V As und Sb; X IV Si, Ge, Sn, Pb, Ti und Zr
Author(s) -
Winkler A.,
Thilo E.
Publication year - 1966
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.19663460110
Subject(s) - crystallography , chemistry , physics
Es wird die Verbindung HAsP 2 O 8 hergestellt und aus ihren Eigenschaften geschlossen, daß es sich um eine Verbindung mit Schichtstruktur handelt, in der die Protonen zwischen AsP 2 O 8 ‐Schichten liegen und durch Kationen ersetzbar sind. Im zweiten Teil wird gezeigt, daß die Verbindung HSbP 2 O 8 mit HAsP 2 O 8 isomorph ist und daß sich außerdem eine ganze Reihe von Verbindungen H 2 X IV P 2 O 8 mit X IV = Si, Ge, Sn, Pb, Ti und Zr herstellen läßt, die analog gebaute Schichtstrukturen bilden und ebenfalls Ionenaustauschereigenschaften haben.