Verbindungen im System BCSi bzw. BSi

Abstract Im elektrischen Lichtbogen wurden zwei neue Verbindungen hergestellt. Der säureunlösliche Anteil erwies sich röntgenographisch als dem Borcarbid sehr ähnlich mit a 0 = 5,65 Å und c 0 = 12,35 Å. In Verbindung mit der chemischen Analyse kann auf eine Substitutionsverbindung B 12 (C, Si, B) 3 geschlossen werden. Die Mikrohärte wurde mit 2,450 kg · mm −2 , die pyknometrische Dichte mit 2,52 g · cm −3 gemessen. Eine ähnliche Verbindung mit den hexagonalen Gitterkonstanten a 0 = 5,62 Å und c 0 = 12,34 Å wurde neben SiC aus Borcarbid und metallischem Silicium erhalten (vgl. Tab. 3). Hier wurde die Knoop‐Härte zu 2,400 kg · mm −2 und die pyknometrische Dichte mit 2,71 g · cm −3 bestimmt. Die zweite Verbindung besteht aus Bor und Silicium und ist in HF/HNO 3 ‐Gemischen leicht löslich. Die Knoop‐Mikrohärte liegt im Durchschnitt bei rund 2,070 kg · mm −2 . Das Debye‐Scherrer‐Diagramm läßt sich einer im C 32‐(AlB 2 )‐Typ kristallisierenden Verbindung mit den hexagonalen Gitterabmessungen a 0 = 3,17 Å und c 0 = 3,54 Å zuordnen.