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Herstellung der Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium nach dem Aufwachsverfahren
Author(s) -
Renner Th.
Publication year - 1959
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.19592980106
Subject(s) - chemistry , aluminium , gallium , indium , organic chemistry
Aus den entsprechenden Chloriden und Ammoniak werden die Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium in kompakten Zustand durch Anwendung des Aufwachsverfahrens erhalten. Es sind chemisch außerordentlich resistente Körper. Ihre elektrische Leitfähigkeit nimmt in der Reihenfolge BN, AIN, GaN, InN zu; InN ist bereits ein guter Leiter. Sämtliche Nitride besitzen Halbleitercharakter.