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Über die Einlagerung von Galliumchlorid und Indiumchlorid in Graphit
Author(s) -
Rüdorff W.,
Landel A.
Publication year - 1958
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.19582930515
Subject(s) - philosophy
1 Galliumchlorid reagiert in Gegenwart von Chlor mit Graphit ebenso leicht wie Aluminiumchlorid. Je nach den Reaktionsbedingungen entstehen eine 1, 2. oder 4. Stufe mit GaCl 3 in jeder, bzw. in jeder 2. oder 4. Schichtenlücke des Graphitgitters. Durch die Einlagerung wird der Abstand der C‐Schichten auf 9,5 kX vergrößert. Die erste Stufe ist tiefblau und enthält bis zu 60% GaCl 3 . Alle Präparate wirken oxydierend auf KJ‐Lösung und enthalten mehr Chlor, als der Menge des eingelagerten Halogenids entspricht. Das Verhältnis Ga:Cl liegt zwischen 1:3,2 bis 1:3,4. 2 InCl 3 gibt mit Graphit nur eine 2. Stufe mit bis zu 55% InCl 3 und einem In:Cl‐Verhältnis, das nahe bei 1:3,0 liegt. Röntgenographisch läßt sich zeigen, daß das Halogenid in Form von einzelnen zusammenhängenden Schichtpaketen zwischen die C‐Ebenen eingelagert ist. Beim Behandeln mit Wasser, Säuren und organischen Lösungsmitteln geht nur ein kleiner Teil des eingelagerten InCl 3 in Lösung. Es wird nachgewiesen, daß ausgewaschene InCl 3 ‐ und FeCl 3 ‐Graphitpräparate stets inhomogen sind. Die Kristalle bestehen aus einem Kern der unzersetzten Graphitverbindung, der durch eine Graphithaut vor dem weiteren Angriff des Lösungsmittels geschützt ist .

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