Chemische Transportreaktionen. Die Wanderung von Siliciumdioxyd im Temperaturgefälle unter Mitwirkung von Siliciummonoxyd und Siliciumhalogeniden

Wird ein Gemenge von Si und SiO 2 nach Zugabe von wenig Jod im geschlossenen Rohr erhitzt, so wandert SiO 2 aus der heißeren (1270°C) in die weniger heiße (≤1000°C) Zone. Diese Erscheinung beruht darauf, daß das aus Si und SiO 2 entstehende SiO g in die weniger heiße Zone diffundiert und dort zu SiO 2 umgesetzt wird: 2 SiO g + SiJ 4g = SiO 2f + 2 SiJ 2g 2 SiO g + 4 J g = SiO 2f + SiJ 4g . Der SiO 2 ‐Transport ist berechenbar. Das elementare Silicium wandert bei kleinen Jodiddrucken nicht aus der heißen Zone ab. Bei entsprechenden Versuchen mit größeren Siliciumhalogenid‐Drucken wird SiO 2 bei mittleren Temperaturen abgeschieden, während sich das elementare Silicium in der kältesten Zone ansammelt. Im Hochvakuum auf die Quarzwand aufgedampftes Siliciummonoxyd hinterläßt nach dem Erhitzen mit Siliciumhalogeniden reines Siliciumdioxyd. Bei allen Versuchen hatte das gewonnene SiO 2 faserigen Habitus.