Über feste Lösungen in den Systemen ZnS/MnS, ZnSe/MnSe und ZnTe/MnTe

Die Präparate wurden durch gemeinsame Fällung aus wäßriger Lösung oder durch gemeinsames Erhitzen der binären Verbindungen erhalten. In beiden Fällen wurden durch Tempern bei 600°C die für diese Temperatur geltenden Phasenverhältnisse erfaßt. ZnS löst bis 10 Mol‐% MnS unter Ausbildung der Blende ‐, hierauf bis 43 Mol‐% MnS unter Ausbildung der Wurtzit‐Struktur. Über 43% tritt neben dem Mischkristall der oberen Phasengrenze reines MnS im NaCl‐Gitter auf. Die elektrische Leitfähigkeit der Mischkristalle ist niedriger als 10 −8 Ω −1 cm −1 . Im Zweiphasengebiet steigt die Leitfähigkeit auf den für MnS im NaCl‐Gitter gefundenen Wert von ϰ = 4 · 10 −3 Ω −1 cm −1 an. In dem System ZnSe/MnSe reicht der Blendemischkristall bis 35 Mol‐% MnSe, es folgt ein Wurtzit‐Mischkristall bis 50 Mol‐% MnSe. Die Wurtzitmischkristalle sind durch Druck leicht in Blende umzuwandeln. Über 50% tritt als zweite Phase reines MnSe im NaCl‐Gitter auf. Auch hier steigt die Leitfähigkeit erst in dem Zweiphasengebiet zu dem für MnSe gefundenen Wert von ϰ = 1,6 · 10 −2 Ω −1 cm −1 an. In dem System ZnTe/MnTe ist das Blende‐Mischkristallgebiet am größten, es reicht bis 86 Mol‐% MnTe. Die Extrapolation der Molvolumina führt zu 37,3 cm 3 für ein hypothetisches im Blendegitter kristallisierendes MnTe. Über 86% tritt als zweite Phase MnTe im NiAs‐Gitter auf. Die elektrische Leitfähigkeit der Mischkristalle durchläuft von ZnTe ausgehend zunächst ein Maximum bei 5 und ein Minimum bei 40 Mol‐% MnTe; die Leitfähigkeiten aller Mischkristalle sind von der Größenordnung der Leitfähigkeit des ZnTe (5 · 10 −7 Ω −1 cm −1 ). Erst im Zweiphasengebiet erfolgt ein starker Anstieg auf ϰ = 2 Ω −1 cm −1 . Die Manganverbindungen mit der Koordinationszahl 4 ((Zn, Mn)S, (Zn, Mn)Se, (Zn, Mn)Te, MnS Blende, Wurtzit ) haben sehr niedrige, die mit Koordinationszahl 6 (MnS NaCl , MnSe NaCl , MnTe NiAs ) hingegen wesentlich höhere elektrische Leitfähigkeiten.