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Siliciumchalkogenide. IV. Zur Kenntnis von Siliciumditellurid
Author(s) -
Weiss Alarich,
Weiss Armin
Publication year - 1953
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/zaac.19532730303
Subject(s) - physics , chemistry
Abstract SiTe 2 , durch Erhitzen von Silicium und Tellur auf 1050–1070° C in Hochvakuum dargestellt, bildet rote Plättchen, die sich an der Luft zersetzen, wobei sich Tellur abscheidet. SiTe 2 kristallisiert im Cadmiumjodid‐Typ. Die Intensitäten der Interferenzen auf den Drehkristall‐, W EISSENBERG ‐ und Pulveraufnahmen ergeben einen z‐Parameter von 0,265 ± 0,005. Daraus folgt ein kürzester SiTe‐Abstand von 3,04 Å. Dieser Abstand ist größer als die Summe der Ionenradien nach G OLDSCHMIDT mit 2,50 Å und entspricht eher dem Abstand für metallische Bindung.