Siliciumchalkogenide. IV. Zur Kenntnis von Siliciumditellurid

SiTe 2 , durch Erhitzen von Silicium und Tellur auf 1050–1070° C in Hochvakuum dargestellt, bildet rote Plättchen, die sich an der Luft zersetzen, wobei sich Tellur abscheidet. SiTe 2 kristallisiert im Cadmiumjodid‐Typ. Die Intensitäten der Interferenzen auf den Drehkristall‐, W EISSENBERG ‐ und Pulveraufnahmen ergeben einen z‐Parameter von 0,265 ± 0,005. Daraus folgt ein kürzester SiTe‐Abstand von 3,04 Å. Dieser Abstand ist größer als die Summe der Ionenradien nach G OLDSCHMIDT mit 2,50 Å und entspricht eher dem Abstand für metallische Bindung.