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Über Aluminiumsulfide, Siliciumsulfide und das System AlSiS
Author(s) -
Kohlmeyer E. J.,
Retzlaff H. W.
Publication year - 1950
Publication title -
zeitschrift für anorganische chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0372-7874
DOI - 10.1002/zaac.19502610314
Subject(s) - chemistry , physics , materials science
Es wurde ein Verfahren entwickelt, geschmolzenes Aluminium und flüssige AlSi‐Legierungen mittels Durchleiten von Schwefeldampf ganz oder teilweise in die Sulfidform zu überführen. Aus den hierbei gemachten Beobachtungen wurden Schlußfolgerungen für die thermischen Eigenschaften der Aluminium‐ und Siliciumsulfide gezogen. Bei der Schwefelung entstehen primär Al 2 S 3 und SiS 2 . Durch Einwirkung überschüssigen Metalles werden die Tri‐ bzw. Di‐Su fide zu Monosulfid reduziert. Hierbei ist die Umsetzung des Siliciums nur unvollkommen, da es sich im Gegensatz zum Aluminium im festen Zustande befindet. Bei Fehlen überschüssigen Metalles werden die niederen Sulfide zu ihren Endstufen aufgeschwefelt. In AlSi‐Legierungen wird zunächst das Aluminium geschwefelt, das Silicium dagegen erst, wenn es in einer Konzentration von mehr als 40 Molprozent in der Legierung enthalten ist. Die Al‐Sulfide sind unter atmosphärischem Druck bis 1600° C nicht flüchtig, während die Siliciumsulfide niedrige Siedepunkte haben und daher bei der Schwefelung von AlSi‐Schmelzen restlos aus der AlSi‐Schmelze verdampfen. Schmelz‐ und Siedepunkte der Al‐Sulfide:\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$$ \begin{array}{*{20}c} {{\rm AlS F}_{\rm p} {\rm }1200^\circ {\rm C K}_{\rm p} > 1600^\circ {\rm C }} & {{\rm Al}_{\rm 2} {\rm S}_{\rm 3} {\rm F}_{\rm p} {\rm 1100}^\circ {\rm C K}_{\rm p} > 1600^\circ } \\ \end{array}{\rm C} $$\end{document} . Al und AlS bilden eine Mischungslücke, wobei der F p von AlS durch etwas gelöstes Al auf 1070° erniedrigt wird. Bei 950° disproportioniert AlS zu Al + Al 2 S 3 . Schmelz‐ und Siedepunkte der Si‐Sulfide:\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$$ {\rm SiS F}_{\rm p} ?{\rm K}_{\rm p} ?{\rm SiS}_{\rm 2} {\rm F}_{\rm p} {\rm 1090}^\circ {\rm C \,\, K}_{\rm p} {\rm }1130^\circ {\rm C} $$\end{document} . Disproportionierung von SiS zu Si + SiS 2 .