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Deep Reactive Etching of Silica with SF 6 /H 2 Plasma
Author(s) -
Salehi Maryam,
Rad Ghasem Amraee,
Hafezi Fatemeh,
Arman Ali,
Bonjakhi Mohsen
Publication year - 2021
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/vipr.202100756
Subject(s) - physics , wafer , materials science , analytical chemistry (journal) , chemistry , optoelectronics , chromatography
Zusammenfassung Reaktives Ätzen von Siliziumdioxid mit SF 6 /H 2 ‐Plasma – Variation der Prozessparameter und mikrostrukturelle Untersuchungen Aufgrund des wachsenden industriellen Bedarfs, Materialien im Nano‐ und Mikromaßstab einzusetzen, besteht großes Interesse an der Entwicklung neuer umweltschonender Methoden zur Bereitstellung präziser Siliziumstrukturen von hoher Qualität. In der hier präsentierten Studie gelang es uns mit Hilfe eines eigens für diesen Zweck angefertigten Systems zum reaktiven Tiefenätzen (DRIE), einen p‐Typ‐Silizium‐Wafer bis zu einer Tiefe von ca. 30 Mikrometern zu strukturieren. Bei dieser Kombination aus physikalischen und chemischen Abtragungsmethoden wurde anhand von Variationen der H 2 ‐ und SF 6 ‐Gasflüsse festgestellt, dass die die Abtragerate durch die Steuerung des H 2 ‐Gasflusses während des Ätzprozesses und die damit verbundene Schaffung einer Schutzschicht beeinflusst werden kann. Dementsprechend können mit dem vorgestellten Verfahren auch andere Siliziumstrukturen, einschließlich Schwarzem Silizium, hergestellt werden. Die Strukturen können für den Einsatz in vielfältigen Anwendungen erprobt werden