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Hocheffiziente RF‐Impedanzanpassnetzwerke
Author(s) -
Beckmann Rudolf,
Rack Andreas,
Gesche Roland,
Scherer Joachim
Publication year - 2014
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/vipr.201400544
Subject(s) - materials science , physics
Induktiv gekoppelte Plasmen (ICP) bieten im Gegensatz zu kapazitiv gekoppelten Plasmen (CCP) eine höhere Plasmadichte und ermöglichen daher höhere Beschichtungs‐ bzw. Ätzraten und damit eine hohe Wirtschaftlichkeit bei industriellen Niederdruck‐ Plasmaverfahren. Wir werden im Folgenden ein neuartiges Impedanzanpassnetzwerk vorstellen, das für die hohe Anforderung zum Betrieb von induktiven Plasmen und speziell für den Betrieb in einer industriellen Anwendung entwickelt wurde. Für die Anwendung in Produktionsanlagen sind genaue Kenntnisse der Plasmaeigenschaften, wie der Homogenität und der Ionenenergieverteilung erforderlich. Plasmadiagnostische Untersuchungen und Berechnungen der Plasmadichteverteilung werden hierzu dargestellt. Abschließend wird die Anwendungen in einer Produktionsanlage vorgestellt, die auf einer kompakten Stellfläche von nur 19 m 2 1200 Substrate der Größe 156 mm × 156 mm vollautomatisiert pro Stunde beschichten kann.