Ein Bild sagt mehr als tausend Worte:

Die Charakterisierung von Strukturen der heutigen Dünnschicht‐ und Nanotechnologie fordert die zur Verfügung stehenden instrumentellen Oberflächen‐ und Schichtanalysetechniken bis an die Grenzen ihrer Möglichkeiten. Nachweisempfindlichkeit und Ortsauflösung der etablierten Verfahren reichen inzwischen manchmal nicht mehr aus, um den Anforderungen in den genannten Hochtechnologiebereichen gerecht zu werden. Durch den Einsatz der heute kommerziell verfügbaren modernen 3D‐Atomsonden Tomografen (atom probe tomography APT) werden die Grenzen des analytisch machbaren deutlich erweitert. Herausragende Möglichkeiten zur quantitativen und hochempfindlichen Analyse der chemischen Materialzusammensetzung, kombiniert mit der dreidimensionalen Erfassung der zugehörigen Elementverteilungen bei fast atomarer Tiefen‐ und Lateralauflösung sind inzwischen erreichbar. Nach dem in der letzten Ausgabe veröffentlichten ersten Teil des Beitrags, in dem das der APT zugrunde liegende physikalische und technisch‐instrumentelle Prinzip vorgestellt wurde, werden in diesem Beitrag anhand zweier ausgewählter Analysebeispiele, aus dem Bereich der Magnetspeichertechnologie und der Silizium‐Nanotechnologie, die neuen Analysemöglichkeiten zur untersuchung von Dünnschichtsystemen sowie nanoskaligen Strukturen auch im Vergleich mit anderen Analysemethoden vorgestellt.