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Aktuelle Entwicklungen in der Züchtungstechnologie von CZ‐Si‐Kristallen
Author(s) -
Altekrüger Burkhard,
Fisahn Gert
Publication year - 2011
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/vipr.201100454
Subject(s) - physics , wafer , humanities , philosophy , optoelectronics
Die Idee der Einführung einer neuen Wafer Generation mit größerem Durchmesser wird in der Halbleiter und Mikroelektronik‐Industrie hauptsächlich aus der Sicht der Betreiber der großen Fertigungslinien diskutiert und vorangetrieben, die hieraus einen Produktivitäts‐Gewinn und Kostenvorteil in der Chipfertigung erwarten. Die prozesstechnischen Anforderungen bei der Züchtung von großen Si‐Kristallen mit Durchmessern von 300mm und 450mm bedeuten erhebliche Anforderungen und Herausforderungen an die dafür geeignete Anlagen‐Technologie. Diese neuen Anforderungen sind mit einem einfachen „Upgrade” der bisherigen Anlagentechnik nicht zu erfüllen. Daher ist die Neuentwicklung einer Anlagen‐Generation für 300mm und 450mm Si‐ Kristalle erforderlich, die sich durch ihre Grundkonzeption wie ihres statischen Aufbaus sowie des Anlagen und Komponenten‐Handlings von ihren Vorgängergenerationen unterscheidet. Erfahrungen bei der Anlagenentwicklung für 450mm Wafer liegen bei der PVA TePla bereits vor.