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Kollektorbeschichtungen für die EUV‐Lithografie
Author(s) -
Perske Marco,
Pauer Hagen,
Yulin Sergiy,
Trost Marcus,
Schröder Sven,
Duparré Angela,
Feigl Torsten,
Kaiser Norbert
Publication year - 2010
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/vipr.201090031
Subject(s) - die (integrated circuit) , physics , materials science , gynecology , nanotechnology , medicine
Die Extrem‐Ultraviolett‐Lithografie (EUVL) bei einer Wellenlänge von 13,5 nm (14‐mal kleiner als bei aktuellen Lithografiesystemen) stellt eine innovative Methode dar, integrierte Schaltkreise mit strukturbreiten ≤ 22 nm herzustellen [1]. Die vorliegende Arbeit demonstriert die erfolgreiche Beschichtung des derzeit weltgrößten Kollektorspiegels für die EUVL mit einem Durchmesser von 660 mm ( Abb. 1 ). Um den geforderten Reflexionsgrad von mehr als 65 % auf dem Kollektor zu realisieren, wurde dieser mit einem hochreflektierenden Interferenzschichtsystem versehen. Die Beschichtung ist mittels DC‐Magnetronsputtertechnologie an der Beschichtungsanlage „NESSY” durchgeführt worden. Der erzielte Reflexionsgrad lag bei mehr als 65 % für Radien bis zu 220 mm. Für Radien zwischen 230 mm und 320 mm nahm der Reflexionsgrad auf 58 % ab. Die angestrebte Wellenlänge blieb über die gesamte Kollektoroberfläche konstant bei (13,50 ± 0,05) nm und liegt somit innerhalb der Spezifikation für die kommerzielle Nutzung.