IonScan 800 – Ultrapräzise Schichtdickenkorrektur für die Halbleitertechnologie

Abstract Für verschiedene Anwendungen in der Halbleitertechnologie werden extreme Anforderungen an die Homogenität von Schichtsystemen gestellt. Bei der Herstellung von BAW‐(Bulk Acoustic Wave)‐Bauelementen müssen Schichtdicken von unterschiedlichen Materialien mit einer Genauigkeit im nm‐Bereich eingestellt werden. Mit den Standardtechniken zur Schichtabscheidung werden diese Homogenitätsforderungen nicht erfüllt, so dass in einem Folgeprozess die Schichtdicke waferspezifisch und lokal korrigiert werden muss. 1,2 Wir stellen ein neuartiges Verfahren und dessen anlagentechnische Realisierung für die lokale Schichtdickenkorrektur vor. Im Prozess wird der Wafer mäanderförmig vor einem fokussierten Ionenstrahl bewegt. Spezifisch für jeden Wafer wird ein moduliertes Geschwindigkeitsprofil berechnet, um über die Verweilzeit des Ionenstrahls an den jeweiligen Positionen das Material bis auf die Zielschichtdicke abzutragen. Basierend auf einem inerten oder reaktiven Ionenstrahlprozess lässt sich das Verfahren auf beliebige Materialien anwenden, wie z. B. Si 3 N 4 , SiO 2 , Al 2 O 3 , AlN, W, Mo, Cu oder NiFe.