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Plasmachemische Gasphasenabscheidung – eine Technologie zur Deposition organischer und anorganischer Schichten. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition – a Thin Film Technique for Organic and Inorganic Layers
Author(s) -
Schade K.,
Stahr F.,
Steinke O.,
Stephan U.
Publication year - 2005
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/vipr.200500253
Subject(s) - chemistry , plasma enhanced chemical vapor deposition , analytical chemistry (journal) , chemical vapor deposition , polymer chemistry , organic chemistry
Die plasmachemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist ein Verfahren zur Deposition dünner Schichten im Dickenbereich bis einige μm. Es wird gegenwärtig bevorzugt zur Abscheidung elektronisch hochwertiger dielektrischer und halbleitender Siliziumlegierungen bei Temperaturen unter 450 °C und Drücken um 1 mbar auf ebenen Substraten eingesetzt und findet zunehmend Anwendung zur Oberflächenfunktionalisierung mit Polymeren. Der Vorzug der PECVD besteht in der Möglichkeit der Modifikation der Schichteigenschaften über einen weiten Bereich mit geringem technischen Aufwand. Die Reaktorreinigung kann für eine Vielzahl von Schichtmaterialien plasmachemisch durch Änderung der Prozessgaszusammensetzung ohne Vakuumunterbrechung vorgenommen werden. Die PECVD ist im stationären Regime sowie bei kontinuierlicher Substratbewegung möglich. Bevorzugt verwendet man planparalle Elektrodenanordnungen mit kapazitiver Hochfrequenz(HF‐)‐Anregung der Entladung für Substratflächen bis einige Quadratmeter. Daneben nutzt man eine induktive und elektromagnetische Einkopplung mit Anregungsfrequenzen im HF‐ bzw. UHF‐Bereich. Halbleitendes amorphes Silizium, eigenleitend oder dotiert, wird auf der Basis von Monosilan in planparallelen Anordnungen für Solarzellen, Bildsensoren und Dünnschichttransistoren abgeschieden, wobei der Energieeintrag in die Schicht während der Deposition gering sein soll. Siliziumorganische Verbindungen als Korrosions‐ und Kratzschutz für Reflektoren und Linsen stellt man unter Verwendung von HMDSO als Monomer her, wobei Abscheidebedingungen mit starkem Ionenbeschuss vorteilhaft sind.