Premium
Das Integrationspotential mesoporöser SiO 2 ‐Schichten als ultra‐low‐k Dielektrikum. Mesoporous SiO 2 as low‐k dielectric for integration in Cu/low‐k interconnect systems
Author(s) -
Frühauf S.,
Schulz S.E.,
Gessner Th.
Publication year - 2004
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/vipr.200400226
Subject(s) - copper interconnect , materials science , chemistry , dielectric , physics , optoelectronics
Die Einführung von Schichtwerkstoffen mit sehr kleiner Dielektrizitätskonstante (unter 2,2) als Isolatorschichten für Leitbahnsysteme wird für die 65nm‐Generation höchstintegrierter Schaltkreise schon in den nächsten 3 bis 5 Jahren erwartet. Infolge der Integration dieser “low‐k”‐Materialien wird eine wesentliche Verbesserung der Signalübertragungs‐eigenschaften des Leitbahnsystem ermöglicht. Bei Anwendung der Cu‐DAMASCENE‐Technologie ist eine Vielzahl von Anforderungen für technologisch relevante Eigenschaften des Isolatormaterials zu erfüllen, vor allem chemische, thermische und mechanische Stabilität. Im vorliegenden Beitrag wird das Integrationspotential mesoporöser SiO 2 ‐Schichten als ultra‐low‐k Dielektrikum anhand des Anforderungsprofils und der erreichbaren funktionellen und technologischen Eigenschaften detailliert dargelegt.